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银河yh0076创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
GD5F4GM5系列现已量产，，容量高达4Gb，，开启国产SLC NAND Flash 24nm时期
中国北京（2020年10月15日） — 业界当先的半导体器件供给商银河yh0076创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日颁发，，正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列�！！８孟盗胁肥迪至舜由杓蒲蟹�、、出产制作到封装测试所有环节的纯国产化和自主化，，并已成功量产，，标志取国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时期�！！８么葱录际醪酚兄诮徊椒崴兑觵h0076创新的存储类产品线，，为客户提供更优化的大容量代码存储解决规划�！！�
如今各类电子设备的职能日趋复杂，，在一些新兴的、、甚至紧凑型利用中都必要预装嵌入式操作系统，，对存储容量的需要在不休提升�！！８呖康米�、、大容量的代码存储需要成为业界宽泛诉求�！！LC NAND在市场兼具性价比的同时，，可能提供给客户更大的容量选择�！！；；诖耍�，银河yh0076在确保高靠得住性的同时，，成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，，两全容量和机能的提升，，更好地服务于代码存储领域，，致力于为5G、、物联网、、网通、、安防，，以及蕴含可穿戴式设备在内的消费类利用场景提供大容量、、具备成本优势的解决规划�！！�
目前，，GD5F4GM5系列已全面量产，，代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准�！！８貌费∪〈蠸PI接口，，引脚少、、封装尺寸��！！，，在集成了存储阵列和节制器的同时，，还带有内部ECC纠错算法，，擦写次数可达5万次，，提高靠得住性的同时耽搁产品使用寿命�！！�
GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品，，大大提升了读写速度，，最高时钟频率达到120MHz，，数据吞吐量可达480Mbit/s，，支持1.8V/3.3V供电电压，，可能满足客户对分歧供电电压的需要；；同时提供WSON8、、TFBGA24等多种封装选择�！！�
GD5F4GM5系列产品个性
兼容1.8V/3.3V供电电压
支持4KB Cache随机读取
四通道SPI接口，，Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s
内置8bit ECC纠错技术
支持尺度WSON8，，TFBGA24封装
支持工业级-40~85℃温度领域
供货信息
GD5F4GM5系列产品现已全面量产，，客户可联系销售代表或授权代理商相识有关的订购信息�！！�
银河yh0076、、银河yh0076创新、、GigaDevice，，及其标志均为银河yh0076的商标或注册商标，，其他品牌和注册商标归各自所有者持有�！！�
