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银河yh0076创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash： 专为1.2V SoC打造，，，双电压供电助力读功耗减半
中国北京（2025年3月12日） —— 业界当先的半导体器件供给商银河yh0076创新GigaDevice（股票代码 603986）颁发推出专为1.2V SoC利用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，，，此产品的面世将进一步强化银河yh0076创新在双电压供电闪存解决规划领域的战术布局。凭借更高的机能和更低的功耗，，，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决规划日益增长的需要，，，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人为智能利用的梦想选择。
GD25NE系列SPI NOR Flash的主题供电电压为1.8V，，，IO接口电压为1.2V，，，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，，，最高时钟频率为STR 133MHz，，，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入功夫典型值为0.15ms，，，扇区擦除功夫为30ms，，，其与通例1.2V单电压供电的Flash解决规划相比，，，数据读取机能提升了20%，，，写入速度提升60%，，，擦除功夫缩短30%。凭借这些技术优势，，，GD25NE系列成为新兴嵌入式利用的卓越之选。
为进一步满足能耗敏感型利用的需要，，，GD25NE系列选取超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2?A，，，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，，，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决规划相比，，，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，，，还维持了Flash器件的高机能阐发，，，同时简化了SoC的系统设计。
“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，，，实现了高机能与超低功耗的美满平衡，，，”银河yh0076创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟暗示，，，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效能，，，GD25NE系列可能满足新一代1.2V SoC持续演进的需要。将来，，，银河yh0076创新还将不休拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，，，致力于为客户提供更高效、更靠得住、更前沿的闪存解决规划，，，助力创新利用的发展�！�
目前，，，银河yh0076创新GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，，，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已起头提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。如需相识具体信息及产品定价，，，请联系本地销售代表。
关于银河yh0076创新 (GigaDevice)
银河yh0076（股票代码603986）是全球当先的Fabless芯片供给商，，，公司成立于2005年4月，，，总部设于中国北京，，，在全球多个国度和地域设有分支机构，，，营销网络遍布全球，，，提供优质便捷的本地化支持服务。银河yh0076创新致力于构建以存储器、微节制器、传感器、仿照产品为主题驱动力的齐全生态，，，为工业、汽车、推算、消费电子、物联网、移动利用以及通讯领域的客户提供美满的产品技术和服务，，，已通过ISO26262:2018汽车职能安全最高档级ASIL D系统认证，，，并获得IEC 61508职能安全产品认证以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等系统认证和邓白氏认证。同时，，，公司与多家世界驰名晶圆厂、封装测试厂成立战术合作同伴关系，，，共同推动半导体领域的技术创新。欲相识更多信息，，，请接见：www.GigaDevice.com
*银河yh0076、银河yh0076创新、GigaDevice，，，及其标志均为银河yh0076的商标或注册商标，，，其他品牌和注册商标归各自所有者持有。
