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银河yh0076创新与纳微半导体数字能源结合尝试室揭牌 加快高效电源治理规划落地
中国北京（2025年10月13日）—— 业界当先的半导体器件供给商银河yh0076创新GigaDevice（股票代码 603986）与纳微半导体（纳斯达克股票代码：：NVTS）共同设立的“数字能源结合尝试室”在岳阳正式揭牌。�！！！！！８贸⑹允医獹D32 MCU领域的深厚堆集，，与纳微半导体在高频、、高速、、高集成度氮化镓以及占有沟槽辅助平面技术的GeneSiC碳化硅领域的产品优势相结合，，面向AI数据中心、、光伏逆变、、储能、、充电桩、、电动汽车等新兴市场，，提供智能、、高效的数字能源解决规划。�！！！！！�
纳微半导体系统利用工程副总裁黄秀成（右）与银河yh0076创新高级副总裁、、MCU事业部总经理李宝魁（左）合影
夯实数字能源基石，，注入强劲“芯”动力
自筹备以来，，数字能源结合尝试室已获得一系列丰硕成就，，先后推出4.5kW、、12kW服务器电源，，以及500W单级微型逆变器等解决规划。�！！！！！Ｕ庑┕婊韵冉仄�，，满足行业“高效能、、高功率密度”等需要演进方向。�！！！！！９婊穆涞夭唤稣故玖艘觵h0076创新与纳微半导体在数字能源领域的创新实力，，也凸显了双方技术融合所带来的怪异优势与市场竞争力。�！！！！！�
500W单级光伏微逆规划基于银河yh0076创新GD32G553 MCU与纳微双向GaNFast?氮化镓功率芯片 ，，选取单级一拖一架构，，具备高效能、、低损耗、、高集成度和成本优化等优势。�！！！！！＝岷嫌呕幕旌系髦普绞跤肴砜丶际�，，峰值效能超过97.5%，，CEC效能超过97%，，MPPT效能超过99.9%。�！！！！！５ゼ都芄怪苯邮迪种绷鞯交セ坏淖�，，省去一级直流-直流变换环节，，提升功率密度，，并削减器件数量和损耗。�！！！！！Ｍü偶缮杓朴肽晌⑺虻乜�，，可进一步缩小尺寸，，降低BOM成本。�！！！！！�
基于银河yh0076创新GD32G553 MCU，，结合纳微GaNSafe?氮化镓功率芯片与第三代急剧碳化硅MOSFETs产品的4.5kW和12kW AI服务器电源规划，，专为AI和传统服务器以及超大规模数据中心设计。�！！！！！Ｆ渲械�12kW规划不仅切合盛开推算项目（OCP）、、盛开机架v3（ORv3）及CRPS规范，，更以极简元器件布局，，超过80 PLUS红宝石“Ruby”尺度，，实现97.8%峰值效能。�！！！！！�
迈向全球能源转型，，推动绿色与智能技术融合
在全球能源转型的大布景下，，数字能源解决规划的需要正在迅速增长。�！！！！！I、、大数据、、云推算等新兴技术不休推动能源行业的刷新。�！！！！！３龈袷窃诼躺茉春椭悄艿缭粗卫砹煊�，，创新技术和系统集成已成为实现更高效、、更环保�！�、、更可持续电力系统的关键。�！！！！！�
揭牌典礼上，，纳微半导体系统利用工程副总裁黄秀成与银河yh0076创新高级副总裁、、MCU事业部总经理李宝魁共同为尝试室揭牌，，并就将来合作方向及尝试室运营模式进行了深刻探求。�！！！！！Ｋ揭恢掳凳�，，将以结合尝试室为平台，，深入技术协同，，加快创新成就转化。�！！！！！�
纳微半导体系统利用工程副总裁黄秀成暗示：：“结合尝试室的成立是纳微半导体与银河yh0076创新战术合作深入的重要里程碑。�！！！！！Ｎ颐墙浞植锏丶际踉诟咝У缭粗卫碇械挠攀�，，结合银河yh0076创新在MCU领域的深厚积淀，，共同开发面向将来的数字能源解决规划，，为全球客户带来更高效、、更环保的创新产品。�！！！！！！！！�
银河yh0076创新高级副总裁、、MCU事业部总经理李宝魁暗示：：“数字能源是银河yh0076创新的主题利用方向之一。�！！！！！Ｍü肽晌氲继宓暮献�，，我们将高机能GD32 MCU与当先的GaNFast?氮化镓技术深度融合，，为客户提供更具竞争力的解决规划。�！！！！！Ｕ獠唤鍪羌际醪忝娴男葱�，，更是双方推动绿色能源、、助力产业智能化转型的坚定承诺。�！！！！！！！！�
这次结合尝试室的成立，，不仅是对银河yh0076创新与纳微半导体前期合作成就的注定，，更预示着双方在数字能源领域的辽阔合作远景。�！！！！！＝�，，尝试室将持续以技术创新为主题，，加快高效电源治理规划在更多利用场景的落地，，驱动数字能源产业的高质量发展。�！！！！！�
关于纳微半导体（Navitas）
兆纳微半导体（纳斯达克股票代码：：NVTS）是新一代功率半导体行业辅导者，，专一于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，，旨在推动人为智能与数据中心、、能源与电网基础设施、、高机能推算及工业利用领域的创新。�！！！！！Ｆ窘柙诳斫际趿煊虺�30年的经验堆集，，纳微旗下的GaNFast?功率芯片将氮化镓功率器件、、驱动、、节制、、感测与�；；；ぶ澳芨叨燃�，，实现更快的功率传输、、更高的系统功率密度及更卓越的能效阐发。�！！！！！eneSiC?高压碳化硅器件选取受专利�；；；さ墓挡鄹ㄖ矫婕际�，，为中压电网及基础设施利用提供业界当先的耐压能力、、效能与靠得住性。�！！！！！Ｄ晌氲继逡颜加谢蛘谏昵氲淖ɡ�300项，，是全球首家获得CarbonNeutral?碳中和认证的半导体公司。�！！！！！�
纳微半导体、、GaNFast、、GaNSense、、GeneSiC及Navitas标志均为纳微半导体有限公司及其从属公司的商标或注册商标。�！！！！！Ｎ闹刑峒暗钠渌放�、、产品名称及标志均为其各自所有者的商标或注册商标。�！！！！！�
关于银河yh0076创新（GigaDevice）
银河yh0076（股票代码603986）是全球当先的Fabless芯片供给商，，公司成立于2005年4月，，总部设于中国北京，，在全球多个国度和地域设有分支机构，，营销网络遍布全球，，提供优质便捷的本地化支持服务。�！！！！！Ｒ觵h0076创新致力于构建以存储器、、微节制器、、传感器、、仿照产品为主题驱动力的齐全生态，，为工业、、汽车、、推算、、消费电子、、物联网、、移动利用以及通讯领域的客户提供美满的产品技术和服务，，已通过ISO26262:2018汽车职能安全最高档级ASIL D系统认证，，并获得IEC 61508职能安全产品认证以及ISO 9001、、ISO 14001、、ISO 45001等系统认证和邓白氏认证。�！！！！！Ｍ�，，公司与多家世界驰名晶圆厂、、封装测试厂成立战术合作同伴关系，，共同推动半导体领域的技术创新。�！！！！！Ｓ嗍陡嘈畔�，，请接见：：www.GigaDevice.com。�！！！！！�
*银河yh0076、、银河yh0076创新、、GigaDevice，，及其标志均为银河yh0076的商标或注册商标，，其他名称或品牌均为其所有者所有。�！！！！！�
